一种高线性度共栅CMOS混频器的分析与设计  

作　　者：兰萍[1] 冯炎[1] 

机构地区：[1]西南交通大学信息科学与技术学院,四川成都610031

出　　处：《西藏科技》2010年第6期78-80,共3页Xizang Science And Technology

摘　　要：本文利用多栅晶体管技术,设计了一种共栅跨导级混频器。通过Volterra级数对该电路进行非线性分析,该结构能大大改善电路的线性度。采用TSMC0.18μmCMOS工艺,在ADS2008环境下进行仿真,仿真结果表明,该电路的单边带噪声系数为12.288dB,双边带噪声系数为9.043dB,转换增益为3.346dB,IIP3为20.28dBm。

关 键 词：多栅晶体管 共栅级 派生项叠加 Voterra级数 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统]