兰萍

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：西南交通大学信息科学与技术学院更多>>
发文主题：CMOS射频低噪声放大器线性度低噪声放大器低电压低功耗低电压更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《西藏科技》《电子技术应用》更多>>
所获基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
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一种高线性度共栅CMOS混频器的分析与设计
《西藏科技》2010年第6期78-80,共3页兰萍 冯炎 
本文利用多栅晶体管技术,设计了一种共栅跨导级混频器。通过Volterra级数对该电路进行非线性分析,该结构能大大改善电路的线性度。采用TSMC0.18μmCMOS工艺,在ADS2008环境下进行仿真,仿真结果表明,该电路的单边带噪声系数为12.288dB,双...
关键词：多栅晶体管 共栅级 派生项叠加 Voterra级数 
1.9GHz低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计被引量：1
《电子技术应用》2010年第6期53-56,共4页周建明 陈向东 兰萍 谢睿 徐洪波 
教育部新世纪优秀人才支持计划项目(A0160419950120)
针对1.9GHzPHS和DECT无线接入系统的应用,提出了一种可工作于0.9V低电压的CMOS射频低噪声放大器,并对其电路结构、噪声及线性度等主要性能进行分析。该电路基于传统的折叠结构低噪声放大器,利用晶体管线性补偿技术,实现了低压低功耗下...
关键词：低电压 低功耗 低噪声放大器 噪声系数 线性度 
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