InSb的激光划片研究  

Study on Laser Scribing of InSb Wafer

作　　者：齐军[1] 王昆林[1] 梁绵长[1] 朱允明[2] 方鸣岗[3] 虞孝舜[3] 

机构地区：[1]清华大学机械系 [2]澳门大学科技学院 [3]华北光电技术研究所

出　　处：《激光与红外》1999年第2期88-91,共4页Laser & Infrared

摘　　要：研究了对ＩｎＳｂ的激光划片过程，得出了刻槽深度和宽度随着脉冲重复频率、工作电流和刻划速度的变化规率。Laser scribing of InSb wafer was studied and the relationship between process parameters (pulse frequency,electrical current and traverse speed)and groove depth and width has been obtained.

关 键 词：InSb晶片 激光划片 脉冲频率 激光加工 

分 类 号：TG665[金属学及工艺—金属切削加工及机床] TN305.1[电子电信—物理电子学]