一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计  

Design of a Novel CMOS Band-gap Voltage Reference with High Precision

作　　者：牛宗超[1] 杨发顺[1] 丁召[1] 王基石[1] 马奎[1] 张正平[1] 

机构地区：[1]贵州大学理学院,贵州贵阳550025

出　　处：《现代电子技术》2010年第14期7-9,13,共4页Modern Electronics Technique

基　　金：科技部支撑项目子专题:IPTV服务系统建设与示范(2008BADB6B02-06);省长基金:基于IPTV的农村信息化服务平台建设及应用示范贵州省科技攻关资助项目(黔省专合字(2008)3号);贵州省工业攻关计划项目:高精度低漂移集成电压基准源研究与试制(黔科合丁字[2008]3033);贵州大学研究生创新基金资助(省研理工2009003);贵州省农业攻关资助项目:面向贵州农村信息化远程多媒体视频点播关键技术研究(黔科合丁字[2009]3051)

摘　　要：提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25^+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。A low-voltage low-power consumption reference source with standard CMOS technology is studied, whose operating voltage is 5~ 10V. The dynamic current feedback compensation is performed with equivalent resistance characteristic of saturated MOS for the PTAT current, and a band-gap reference circuit with output voltage of 1.3V is designed. The output reference voltage temperature coefficient of 7. 427 in --25~ 120 ℃, a PSRR up to 88dB at 27 ℃, the occupied chip area is 0. 022. It is fit for the field of low dropout regulator and so on.

关 键 词：带隙基准源 温度系数 动态反馈补偿 CMOS 

分 类 号：TN710[电子电信—电路与系统]