检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:杨烨[1,2] 滑育楠[3] 孙晓红[3] 张晓东[4,5] 高怀[3]
机构地区:[1]东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,江苏苏州215123 [2]东南大学集成电路学院,南京210096 [3]东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,南京210096 [4]苏州工业园区教育投资发展有限公司 [5]苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心,江苏苏州215123
出 处:《电子器件》2010年第3期299-302,共4页Chinese Journal of Electron Devices
摘 要:计算LDMOS器件的二维温度分布,采用镜像方法从计算单指条器件的温度出发,考虑实际问题中存在的表面绝热条件以及两层介质间的连续性条件,获得单指条器件纵向温度分布函数。将所有热源在表面上点的温度进行叠加,得到多指条并联时器件的横向温度分布图。基于MATLAB编程计算,结果表明:镜像法简单实用且能更精确的计算出温度的梯度分布。此计算结果可用于开发精确的器件热模型。Image method is proposed to calculate the two-dimensional temperature distribution of LDMOS.The vertical temperature distribution is first computed for a finger accounting for the adiabatic boundary condition at the surface and the continuity conditions at the interface between two layers.For a multi-finger device,the lateral temperature distribution is further obtained with superposition principle.Calculation results based on MATLAB show that image method provides a convenient and efficient approach which can be used to compute the temperature gradient distribution more accurately.Its calculation results can be used to develop an accurate thermal model.
关 键 词:横向扩散金属氧化物半导体 镜像法 边界条件 MATLAB 温度分布
分 类 号:TN386[电子电信—物理电子学]
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