双牺牲层微测辐射热计最新研究进展  

Recent Developments of Micro-Bolometer Using Double Sacrificial Layers

作　　者：彭自求[1] 王军[1] 袁凯[1] 蒋亚东[1] 

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

出　　处：《电子器件》2010年第3期303-307,共5页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助(KFJJ200805)

摘　　要：通过改善结构,来研制更小尺寸、更高分辨率的器件,成为微测辐射热计研制的新趋势,而其中最普遍的做法就是使用双牺牲层。本文介绍了双牺牲层微测辐射热计研究的最新成果,即以Raytheon和DRS等为代表的两种做法,并从器件结构和工艺上比较了两种思路的优劣。In order to develop high resolution uncooled infrared microbolometer with smaller pixel size,cell structure with double sacrificial layers is a new trend and the most common way for microbolometers.This article described the recent research results of microbolometer using double-sacrificial layer in Raytheon company and DRS company,also compare the structure and fabricating process of two kinds of designs were compared.

关 键 词：微测辐射热计 双牺牲层 屋檐结构 伞状结构 隐藏桥腿结构 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]