1.3μm InGaAsP DCC结构半导体激光器的远场分布  

Far-Field Distribution of 1.3μm InGaAsP/Inp DCC Structure Semiconductor Laser

作　　者：刘春光[1,2] 白金昌[1,2] 刘益春 陈大伟[1,2] 

机构地区：[1]东北师范大学物理系 [2]白求恩医科大学预防医学院

出　　处：《东北师大学报（自然科学版）》1999年第1期42-45,共4页Journal of Northeast Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：吉林省科委基础研究项目

摘　　要：采用强耦合方法，计算了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣＣ双源五层平面波导结构半导体激光器的远场分布，得到了薄夹层厚度与空间发散角的依赖关系．理论计算与实验结果进行了对比，二者具有很好的一致性．分析了ＤＣＣ结构半导体激光器第一有源区的激励作用和第二有源区Ｆ－Ｐ腔标准具的选模作用及双有源区对空间发散角的影响．Far-field pattern of 1.3μm InGaAsP/InP DCC structure semiconductor laser is calculated by the strong coupling method. Experimental data are in agreement with the theoretical results with the bearm divergence θ ⊥<30°. Space conherence characteristic of 1.3μm InGaAsP/InP DCC structure semiconductor laser is good. The impellent action of the 1st active layer and the selection mode action of the 2nd active layer as a P-F cativy are analysed for DCC structure laser.

关 键 词：INGAASP 半导体激光器 DCC结构 远场分布 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]