注入电压对Ti6A14V合金离子注氧层结构的影响  

Influence of implanted voltage on structure of oxygen-implanted layer on Ti6AI4V alloy

作　　者：马欣新[1] 李金龙[1] 孙明仁[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨150001

出　　处：《中国科技论文在线》2008年第4期246-249,共4页

基　　金：高等学校博士学科点专项科研基金(20040213048)

摘　　要：采用等离子体基氧离子注入技术对Ti6A14V合金进行表面处理。注入电压选取-30和-50kV。注入层的结构用X射线光电子能谱、小掠射角X射线衍射、Raman光谱进行表征。注入样品在注氧层中均形成了以TiO_2为主的键结构,-30kV低电压注入样品的注氧层中TiO_2为非晶态,经过500℃真空退火后,TiO_2结晶形成金红石。而-50kV高注入电压则可在注氧层中直接形成粒径为nm的金红石。Ti6A14V was treated by oxygen plasma based ion implantation of-30 and-50 kV.The structure of the oxygen-implanted layer was characterized by X-ray photoelectron spectroscopy （XPS）,glancing angle X-ray diffraction （GXRD） and Raman spectra.TiO_2 is predominant in the implanted layer of all implanted sample.For the samples implanted at-30 kV,TiO_2 exists as amorphous,and annealing at 500~C in vacuum makes it crystal to form ruffle.However,the implantation at-50 kV can directly produce rutile.

关 键 词：材料学 结构 等离子体基氧离子注入 TI6A14V合金 

分 类 号：TG174.4[金属学及工艺—金属表面处理]