Si(111)衬底上六方YMnO_3薄膜的制备与铁电性质  

Ferroelectric Property and Preparation of Hexagonal YMnO_3 Thin Films Grown on Si(111) Substrate

作　　者：刘越峰[1,2] 郑海务[1] 马兴平[1] 王超[1] 张华荣[1] 顾玉宗[1] 

机构地区：[1]河南大学物理系微系统物理研究所,开封475004 [2]河南大学基础实验教学中心,开封475004

出　　处：《材料导报》2010年第16期18-20,34,共4页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(50802023);河南省科技攻关重点项目(082102270039);河南省高等学校青年骨干教师资助计划(2009GGJS-026);河南省教育厅自然科学研究计划(2008B140003;2009A430002);河南大学科研基金(07YBGG008)

摘　　要：采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜。XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长。以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质。The YMnO3 thin film is prepared on Si（111） substrate by chemical solution deposition. The result of XRD displays that the sample is pure hexagonal phase with partly c-axis orientation. D-E hysteresis loop of metal/ferroelectric/metal capacitors using hexagonal YMnO3 thin films deposited on Si（111） substrate is measured. The results of the measurement show that the thin films have well ferroelectric performance.

关 键 词：六方YMnO3 薄膜 SI(111) 择优生长 电滞回线 

分 类 号：O614.322[理学—无机化学]