基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器  

High-Linearity RF Power Amplifier in 0.18 μm SiGe BiCMOS Technology

作　　者：阮颖[1,2] 陈磊[1] 田亮[1] 周进[1] 赖宗声[1,3] 

机构地区：[1]华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062 [2]上海电力学院计算机与信息工程学院,上海200090 [3]华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海200062

出　　处：《微电子学》2010年第4期469-472,476,共5页Microelectronics

基　　金：科技部国家科技重大专项资助项目(2009ZX01034-002-002-001);上海AM基金资助项目(09700713800)

摘　　要：采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm,最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148μm×1 140μm。A 2.4 GHz Class AB RF power amplifier was designed for WLAN 802.11b/g based on 0.18 μm SiGe BiCMOS technology.The RF power amplifier had a two-stage structure with temperature-insensitive linearizing bias circuit.Simulation results showed that the power amplifier had a power gain of 27.3 dB,an output 1 dB compression point of 23 dBm,a maximum power added efficiency（PAE） of 21.3%,an input impedance match S11 and an output impedance match S22 less than-13 dB and-20 dB,respectively.The matching,amplifying and biasing circuits were all integrated on a single chip,which occupied an area of 1 148 μm×1 140 μm.

关 键 词：射频功率放大器 SIGE BICMOS 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]