阮颖

作品数：11被引量：23H指数：2
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供职机构：上海电力学院更多>>
发文主题：SIGESIGE_BICMOS锗化硅BICMOS功率放大器更多>>
发文领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子与信息学报》《光通信技术》《微电子学》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家科技重大专项教育部科学技术研究重点项目上海市“科技创新行动计划”上海-AM基金更多>>
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“集成电路版图设计”教学探索与实践被引量：1
《中国电力教育（下）》2014年第12期125-126,共2页阮颖 
上海市科技创新行动计划地方院校能力建设项目(10110502200);上海电力学院重点课程建设项目(440114052);上海电力学院教师教育教学能力提升"1+1+1+6"培养计划资助
集成电路版图设计起着承接电路设计和芯片实现的重要作用,是集成电路设计流程中必不可少的环节,同时也是应用型集成电路人才的培养方向。对集成电路版图设计理论教学和实验教学过程的实施进行了探索和实践。以CMOS与非门为例,介绍了基...
关键词：集成电路设计 版图 EDA 
WLAN应用的SiGe功率放大器中功率单元优化设计被引量：1
《半导体技术》2014年第9期641-645,共5页阮颖 陈磊 张先仁 
国家自然科学基金资助项目(61371022);上海市教育委员会科研创新重点资助项目(10ZZ118)
针对无线局域网应用的射频功率放大器(PA)性能要求,提出并实现了4种结构类型的功率单元,运用优选的功率单元进行了PA芯片设计。基于0.18μm 2P6M SiGe∶C BiCMOS工艺,选取48个发射极条数为4、长宽尺寸为1μm×20μm的SiGe HBT,分别设计...
关键词：功率单元 功率放大器 SIGE 无线局域网(WLAN) 线性度 
基于SiGe BiCMOS工艺的5GHz低噪声放大器的设计
《上海电力学院学报》2013年第5期468-471,共4页阮颖 朱武 张伟 
上海市科技创新行动计划地方院校能力建设项目(10110502200);教育部科学技术研究重点项目(210072)
基于0．18μmSiGeBiCMOS工艺，设计了一款应用于WLAN802．11频段的低噪声放大器（LNA）．采用了共射级的两级级联结构，发射极运用电感负反馈，有效地提高了增益和线性度．仿真结果表明，在5～6GHz工作频段内，小信号增益S21达20．5dB...
关键词：低噪声放大器 噪声系数 SIGE BICMOS工艺 无线局域网 
UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计被引量：1
《上海电力学院学报》2013年第3期238-240,245,共4页阮颖 张书霖 
"核心电子器件;高端通用芯片及基础软件产品"国家科技重大专项(2009ZX01034-002-002-001)
设计了一种工作在860～960 MHz频段内,用于UHF RFID阅读器的单芯片射频功率放大器(PA).概述了PA适用的UHF RFID通信标准和采用的0.18μm SiGe BiCMOS工艺技术,分析了PA匹配电路和自适应偏置电路的设计方法,给出了PA芯片的电路结构和芯...
关键词：功率放大器 SIGE BICMOS工艺 超高频 阅读器 
下一代移动通信LTE中功率放大器芯片设计被引量：1
《半导体技术》2012年第9期674-678,共5页阮颖 朱武 张书霖 赖宗声 
上海市科技创新行动计划地方院校能力建设项目(10110502200);教育部科学技术研究重点项目(210072)
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于下一代移动通信3GPP LTE TDD2.6 GHz频段(Band38)的射频功率放大器(PA)芯片。射频功率放大器采用共发射极3级级联的全差分结构,提高了输出电压摆幅,减小了功率晶体管的集电极电流,且降低...
关键词：功率放大器 差分 SIGE BICMOS 移动通信 
一种2.4GHz全集成SiGe BiCMOS功率放大器被引量：5
《电子与信息学报》2011年第12期3035-3039,共5页阮颖 刘炎华 陈磊 赖宗声 
科技部"核高基"国家科技重大专项(2009ZX01034-002-002-001);上海市国际合作计划基金(09700713800)资助课题
针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极...
关键词：SIGE BICMOS 功率放大器 全集成 自适应偏置 
EFDA泵浦源半导体激光器驱动电源的设计被引量：2
《光通信技术》2011年第10期60-62,共3页阮颖 叶波 
教育部科学技术研究重点项目(210072)资助;上海市教育委员会科研创新重点项目(10ZZ118)资助
设计了一种EFDA泵浦源半导体激光器的驱动电源,采用由PC机和单片机构成的上下位机的控制结构,具有恒定功率和恒定电流两种控制模式。该驱动电源具有激光器保护电路,电流精度和光功率控制精度分别为0.15%和0.2%。
关键词：光纤放大器 驱动电源 恒流 恒功 
应用于WCDMA的双频单片SiGe BiCMOS功率放大器被引量：1
《半导体技术》2011年第9期697-700,725,共5页阮颖 叶波 陈磊 赖宗声 
国家科技重大专项(009ZX01034-00-001);教育部科学技术研究重点项目(1007);上海AM基金(09700713800);上海市教育委员会科研创新重点项目(10ZZ118)
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100(band-I/band-V)的双频单芯片功率放大器(PA)。PA采用单端共射级3级级联的结构,具有带模拟开关的片上偏置电路,通过控制偏置电流对两个PA工作状态进行切换。制造的芯...
关键词：功率放大器 双频 偏置电路 锗硅 异质结双极晶体管 宽带码分多址 
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器被引量：7
《微电子学》2010年第4期469-472,476,共5页阮颖 陈磊 田亮 周进 赖宗声 
科技部国家科技重大专项资助项目(2009ZX01034-002-002-001);上海AM基金资助项目(09700713800)
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 ...
关键词：射频功率放大器 SIGE BICMOS 
一种多模多频无线收发器前端SiGe BiCMOS低噪声放大器被引量：2
《微电子学》2009年第5期631-634,683,共5页周进 田亮 陈磊 阮颖 赖宗声 
上海市科委项目(08706200802;08700741300);纳光电教育工程中心(NPAI)项目;上海重点学科建设项目(B411)资助
基于IBM0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种应用于2.4～2.5GHz802.11b/g频段的低噪声放大器(LNA)。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基(Cascode)结构,对称电感有效地降低了芯片面积,优化了电路性能。仿真结果表明:该电路在2.4GHz...
关键词：低噪声放大器 共射共基 SIGE BICMOS 
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