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作 者:吴定才[1] 胡志刚[1] 段满益[1] 徐禄祥[1] 刘方舒[2] 董成军[1] 吴艳南[1] 纪红萱[1] 徐明[1]
机构地区:[1]四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所,成都610068 [2]攀枝花学院材料工程系,四川攀枝花617000
出 处:《半导体光电》2010年第4期575-578,共4页Semiconductor Optoelectronics
基 金:四川省教育厅基金资助项目(2006C020)
摘 要:用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Cu单掺杂及(Co,Cu)共掺杂ZnO薄膜。磁性测量表明,无论是单掺还是共掺的ZnO薄膜都具有室温铁磁性,且Co掺杂和共掺杂ZnO薄膜的磁性相近,而Cu单掺ZnO薄膜磁性稍弱一点。用原子力显微镜和X射线衍射研究了Co,Cu掺杂对ZnO薄膜表面形貌和晶体结构的影响,在薄膜中没有发现第二相和磁性团簇的存在,且所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向。室温光致发光测量在所有的样品中都观察到447和482nm附近的蓝光发射,认为是由于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁所导致的。Co,Cu doped and(Co,Cu)co-doped ZnO thin films were fabricated on the glass substrate by means of sol-gel method.All the samples exhibit room-temperature ferromagnetism.The influence of Co and Cu doping on surface morphologies and crystal structures of ZnO films was investigated by atomic force microscope(AFM)and X-ray diffraction(XRD).The results reveal that all the ZnO samples show preferential orientation along(002)direction and the grain size of Cu-doped ZnO film is the biggest among these samples.Strong blue double emission and weak green emission were observed in the photoluminescent spectrum of all samples at room temperature.
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