浮栅型单电子存储器的等效电路模型  

Equivalent circuit model of Float Gate Single-Electron Memory

作　　者：周少华[1,2] 熊琦[1] 曾健平[2] 晏敏[2] 曾云[2] 

机构地区：[1]湖南工程职业技术学院 [2]湖南大学物理与微电子科学学院,湖南长沙410082

出　　处：《宇航计测技术》2010年第4期54-57,18,共5页Journal of Astronautic Metrology and Measurement

基　　金：湖南省教育厅科学研究资助项目(07D025;08D042);湖南省科技计划项目(2008FJ3123);湖南省科技计划资助项目(2009FJ3050)

摘　　要：在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、亚阈值情况下的电流。利用单电子器件的"阈值漂移"特性,可以得到纳米存储器在不同阈值电压下的存储状态。仿真表明,该模型可以准确地模拟存储器的"读"和"写"状态。Based on analysis of structure and principle in floating gate silicon quantum dot single-electron memory, the lumped capacitance circuit model is obtained. In addtion, the currents is calculated under linear, saturated, sub-threshold circumstances. The storing states at different threshold voltages could be achieved using ＂threshold shift＂ feature of single-electron devices. Simulation results indicate that the model can accurately simulate memory ＂read＂ and ＂write＂ state.

关 键 词：等效电路 集总电容 浮栅型硅量子点 单电子存储器 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]