单电子存储器

作品数：15被引量：13H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王太宏孙劲鹏李志扬刘武李钱光更多>>
相关机构：中国科学院华中师范大学南京大学湖南大学更多>>
相关期刊：《电子产品世界》《微电子技术》《微电子学》《电子科技文摘》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划湖北省自然科学基金教育部高等学校骨干教师资助计划更多>>
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纳米硅单电子存储器研究进展
《微电子学》2011年第2期274-278,共5页丁宏林 岳云峰 顾拥军 陈坤基 
国家自然科学基金资助项目(90301009;60571008);国家重大科学研究计划项目(2006CB932202);紫琅职业技术学院教育科研项目(2010003)
纳米硅单电子存储器与现有微电子存储器相比,由于具有更低的功耗、更快的开关速度、更高的存储密度以及更高的集成度,被认为是在非挥发性存储器的研究中最有可能成为未来快闪存储器的候选者之一。文章论述了纳米硅单电子存储器的工作原...
关键词：单电子存储器 纳米硅 快闪存储 浮置栅 
浮栅型单电子存储器的等效电路模型被引量：1
《宇航计测技术》2010年第4期54-57,18,共5页周少华 熊琦 曾健平 晏敏 曾云 
湖南省教育厅科学研究资助项目(07D025;08D042);湖南省科技计划项目(2008FJ3123);湖南省科技计划资助项目(2009FJ3050)
在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、亚阈值情况下的电流。利用单电子器件的"阈值漂移"特性,可以得到纳米存储器在不同阈值电压下的存储状态...
关键词：等效电路 集总电容 浮栅型硅量子点 单电子存储器 
基于SIMON仿真软件的单电子存储器分析被引量：1
《微纳电子技术》2009年第10期587-590,共4页任国燕 黄勤易 
介绍了目前国际上比较流行的单电子器件仿真软件SIMON的工作原理,并且以单电子环形存储器单元电路为例,利用SIMON软件对其功能和性能进行了仿真分析,同时,还仿真了温度和随机背景电荷对单电子环形存储器单元电路的影响。研究表明,单电...
关键词：SIMON 单电子环形存储器 量子点 岛 随机背景电荷 
单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟
《西安理工大学学报》2007年第4期375-378,共4页卢刚 李静 
陕西省教育厅计划资助项目(04JK250);西安理工大学校特色研究基金资助项目(210402);高学历人才基金资助项目(220410)
建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影响,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法。计算结果...
关键词：单电子存储器 MONTE CARLO模拟 存储时间 
非对称性隧穿势垒Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储特性的电路模拟
《湖南工程学院学报（自然科学版）》2006年第1期12-15,共4页周少华 杨红官 
介绍了非对称性势垒单电子管(ATBs)的电路模拟和特性,以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟,得出由于台阶状复合势垒的作用,在擦写时间保持μs和ms量级的同时,存储时间可长达数年.从而解决了快速...
关键词：非对称势垒 复合纳米结构 单电子存储器 电路模拟 
新型单电子存储器
《电子产品世界》2005年第03A期109-109,共1页
关键词：单电子存储器 随机存储器 半导体存储器 器件 DRAM 存储容量 集成 日本NTT公司 功耗 大容量 
复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟被引量：1
《电子学报》2004年第11期1793-1795,共3页闾锦 施毅 濮林 杨红官 杨铮 郑有炓 
国家自然科学基金 (No .60 2 360 1 0 ;No .60 2 2 50 1 4 ) ;江苏省自然科学基金重点项目
本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET...
关键词：复合量子点 单电子存储器 电路模拟 
集成化单电子器件研究进展被引量：1
《电子器件》2004年第4期772-776,共5页杨银堂 王帆 朱樟明 翟艳 
传统 MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限 ,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析 ,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面...
关键词：单电子器件 库伦阻塞 量子点 单电子存储器 单电子静电计 
基于Monte Carlo模拟的三种不同结构单电子动态存储器特性比较被引量：3
《物理学报》2004年第5期1483-1489,共7页许海霞 李钱光 闵永泉 李志扬 
教育部高等学校骨干教师资助计划(批准号:GG140105111009);湖北省自然科学基金资助的课题~~
采用MonteCarlo方法对多隧道结型、对称陷阱型和环型等三种不同结构的单电子动态存储器进行了数值模拟 ,分析了电容、温度等因素对存储器存储时间的影响 ,发现在相同条件下环型和对称陷阱型存储器一般要比多隧道结型存储器的存储时间长 .
关键词：蒙特卡罗模拟 单电子存储器 存储时间 多隧道结型 对称陷阱型 
单电子晶体管的制备、集成与电路研究被引量：1
《微电子技术》2002年第5期6-10,共5页王太宏 
国家重点基础研究专项经费资助(No.G2001CB3095);国家自然科学基金(批准号:69925410和19904015)
我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成方法和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的...
关键词：单电子晶体管 制备 单电子存储器 多值存储器 晶体管电路 
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