纳米硅单电子存储器研究进展  

Progress in Development of Single-Electron Memory Based on Nano-Crystalline Silicon

作　　者：丁宏林[1,2] 岳云峰[1] 顾拥军[1] 陈坤基[2] 

机构地区：[1]紫琅职业技术学院机电工程系,江苏南通226002 [2]南京大学物理系,南京210093

出　　处：《微电子学》2011年第2期274-278,共5页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90301009;60571008);国家重大科学研究计划项目(2006CB932202);紫琅职业技术学院教育科研项目(2010003)

摘　　要：纳米硅单电子存储器与现有微电子存储器相比,由于具有更低的功耗、更快的开关速度、更高的存储密度以及更高的集成度,被认为是在非挥发性存储器的研究中最有可能成为未来快闪存储器的候选者之一。文章论述了纳米硅单电子存储器的工作原理、研究现状及发展趋势。Nano-crystalline silicon memory is considered to be one of the most promising candidates for future flash memory,due to its lower power consumption,faster switching speed,higher storage and integration density.The operational principle of the nano-crystalline silicon memory and its research progress were described,along with its developing trend.

关 键 词：单电子存储器 纳米硅 快闪存储 浮置栅 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]