考虑自热效应的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管建模与仿真  

Model and Simulation for AlGaN/GaN HEMT including Self-heating Effect

作　　者：姜霞[1,2] 赵正平[2] 张志国[2] 骆新江[3] 杨瑞霞[1] 冯志红[2] 

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [2]中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄050051 [3]杭州电子科技大学电子信息学院,杭州310018

出　　处：《功能材料与器件学报》2010年第4期374-378,共5页Journal of Functional Materials and Devices

摘　　要：基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I-V特性的解析模型。通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计。Based on the charge control theory,a accurate analytical model of I-V characteristics for AlGaN/GaN high electron mobility transistor（HEMT） is presented considering the relationship between self-heating effect and polarization,electron mobility,velocity saturation,conduction band discontinuity,doping concentration,channel temperature.The effect of parasitic resistances is also considered.The comparison between simulations and physical calculation shows a good agreement.The model is simple in calculations,suitable for design of microwave device and circuit.

关 键 词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 解析模型 自热效应 直流I-V特性 

分 类 号：TP2[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]