一种基于微结构的GaAs HEMT的压阻系数  

Piezoresistance Coefficient of GaAs HEMT Based on a Microstructure

作　　者：侯婷婷[1] 薛晨阳[1] 刘国文[1] 贾晓娟[1] 谭振新[1] 张斌珍[1] 刘俊[1] 

机构地区：[1]中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原030051

出　　处：《固体电子学研究与进展》2010年第3期358-361,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50730009;50535030);国家重点基础研究发展计划资助项目(2008CB317104)

摘　　要：GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向(Z方向)单轴应力作用下的力电耦合特性。测试结果表明:GaAs HEMT不同偏压下压阻系数不同,且它的最大压阻系数为(1.72±0.33)×10-7Pa-1,比Si高出三个数量级。GaAs HEMTs （high electron mobility transistors） are embeded in the roots of cantilevers for the high sensitivity. The microstructure of GaAs HEMT is designed and fabricated in this paper. The experiment on the mechanical-electrical coupling characteristic of GaAs HEMT is researched under the stress parallel to the growth direction. For the first time, it is proved that maximum piezoresistanee coefficient of GaAs HEMT can reach （1.72±0.33）×10^-7Pa^-1, three orders of magnitude higher than that of silicon.

关 键 词：砷化镓高电子迁移率晶体管 力电耦合 压阻系数 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]