一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现  

Design and Implementation of HV-PMOS for PDP Scan Driver IC

作　　者：韩成功[1] 郭清[1] 韩雁[1] 张斌[1] 张世峰[1] 胡佳贤[1] 

机构地区：[1]浙江大学微电子与光电子研究所,杭州310027

出　　处：《固体电子学研究与进展》2010年第3期436-440,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：浙江省科技计划资助项目(2004C31094)

摘　　要：对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。A HV-PMOS for 106.68 cm PDP scan drivers IC is studied and designed. The device functions such as the level shift transistor and its breakdown voltage are of the greatest concern. The structure and process parameters are studied by TCAD simulations. The HV-PMOS and the scan driver IC are taped out in Silan. BVds of HV-PMOS on PCM is 185 V and the thresh-old voltage is 6.5 V. The breakdown voltage of the chip reaches up to 180 V, satisfying the design requirement.

关 键 词：高压P沟道金属氧化物场效应晶体管 半导体工艺及器件模拟工具 等离子扫描驱动芯片 双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]