韩成功

作品数:3被引量:0H指数:0
导出分析报告
供职机构:浙江大学更多>>
发文主题:雪崩击穿平板显示器场限环VDMOS均流更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《浙江大学学报(工学版)》更多>>
所获基金:浙江省科技计划项目更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-3
视图:
排序:
N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
《浙江大学学报(工学版)》2011年第6期1038-1042,共5页郭维 丁扣宝 韩成功 朱大中 韩雁 
浙江省科学技术厅科技计划资助项目(2006C11007)
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided...
关键词:横向双扩散N型MOS器件 雪崩击穿 导通电阻退化 电荷泵 
一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现
《固体电子学研究与进展》2010年第3期436-440,共5页韩成功 郭清 韩雁 张斌 张世峰 胡佳贤 
浙江省科技计划资助项目(2004C31094)
对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process c...
关键词:高压P沟道金属氧化物场效应晶体管 半导体工艺及器件模拟工具 等离子扫描驱动芯片 双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺 
42″PDP平板显示器扫描驱动IC及其生产工艺的实现
《Journal of Semiconductors》2008年第4期806-810,共5页洪慧 韩雁 韩成功 王亚林 
浙江省科技计划资助项目(批准号:2004C31094)~~
在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42″数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容(BCD工艺),而且采用工艺与电路设计互相匹配的交互方式完成了...
关键词:等离子显示 扫描驱动 高低电平位移 BCD工艺 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部