郭维

作品数：9被引量：38H指数：4
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供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文主题：恒流驱动大功率LED白光LEDCMOS工艺电源效率更多>>
发文领域：电子电信文化科学更多>>
发文期刊：《传感技术学报》《微电子学》《工业和信息化教育》《压电与声光》更多>>
所获基金：浙江省教育厅科研计划浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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“模拟集成电路设计”课程内涵优化初探被引量：1
《工业和信息化教育》2023年第7期77-82,共6页赵梦恋 谭志超 宋爽 郭维 
我国集成电路产业飞速发展,国家对集成电路发展高度重视,培养高素质工程实践型的集成电路人才(包括模拟集成电路设计人才),成为当代我国高校的重要历史使命。通过对国内外高校模拟集成电路设计相关课程的调研,对教材、课程内容、考核方...
关键词：模拟集成电路 高等教育 培养模式 国际化 工程实践人才 
N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
《浙江大学学报（工学版）》2011年第6期1038-1042,共5页郭维 丁扣宝 韩成功 朱大中 韩雁 
浙江省科学技术厅科技计划资助项目(2006C11007)
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided...
关键词：横向双扩散N型MOS器件 雪崩击穿 导通电阻退化 电荷泵 
大功率白光LED驱动电路的双环检测方法被引量：11
《传感技术学报》2010年第4期485-489,共5页王廷宇 郭维 朱大中 
浙江省科学技术厅科技计划项目高效节能技术专项资助(2006C11007)
基于CSMC0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种带有双环检测的大功率LED恒流驱动芯片。仿真结果表明,芯片可在2MHz频率下工作,驱动电流最高可达1.5A,在24V电源电压时,电源效率可达95%。当电源电压在6V跳变±10%,驱动1W350mA的LED时,LED电流精...
关键词：大功率LED 恒流驱动 双环检测 电源电压传感 PWM 
纳米集成电路的静电放电防护被引量：4
《微电子学》2010年第1期87-93,97,共8页李明亮 董树荣 韩雁 杜晓阳 霍明旭 郭维 郭清 黄大海 宋波 
浙江省自然科学基金资助项目(Y107055;Y1080546)
综述了纳米集成电路片上(On-Chip)静电放电防护(ESD)的研究现状;结合自身流片数据,阐述其ESD防护机理和设计要点。从器件ESD防护机理入手,逐步深入分析阐述了纳米集成电路的新特征、纳米器件的失效机制以及基于体硅CMOS工艺和SOI工艺的...
关键词：纳米工艺 集成电路 静电防护 
带有过温保护功能的1W白光LED驱动电路设计被引量：6
《传感技术学报》2009年第8期1217-1220,共4页杨幸 郭维 朱大中 
浙江省科学技术厅科技计划项目高效节能技术专项资助(2006C11007)
基于CSMC5V0.6μm标准CMOS工艺设计研制了一种具有过温保护功能的1 W温度传感LED恒流驱动电路。该电路由恒流驱动模块和温度传感模块组成,在电源电压为5V时能提供350 mA恒定驱动电流,并能在设定温度下关断功率MOS管,实现过温保护功能。...
关键词：温度传感 过温保护 白光照明LED温度传感LED恒流驱动 
大功率照明白光LED恒流驱动芯片设计被引量：6
《固体电子学研究与进展》2009年第1期122-125,共4页郑晓东 郭维 朱大中 
浙江省科学技术厅科技计划项目高效节能技术专项(计划编号2006C11007)
基于0.6μm标准CMOS工艺,研究设计了一款大功率照明白光LED恒流驱动芯片,可为两路功率型LED分别提供恒定的350mA驱动电流。驱动电路的输出级大功率管采用蛇形栅结构的设计,在标准CMOS工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。采用...
关键词：互补金属氧化物半导体功率集成电路 功率型白光发光二极管 蛇形栅结构 恒流驱动 
脉宽调制型大功率LED恒流驱动芯片的研究被引量：8
《固体电子学研究与进展》2006年第3期359-363,共5页沈慧 郭维 朱大中 
浙江省教育厅科研项目(编号20051006);浙江大学微电子所-杭州高特联合研发中心科研项目
基于0.6μm5V标准CMOS工艺,研究并设计了一种脉宽调制型大功率照明LED恒流驱动芯片为1W大功率照明LED灯提供350mA恒定的平均驱动电流。实现了在5V电源电压有10%跳变时,平均驱动电流的变化可被控制在4.5%以内。输出级开关MOS管采用高密...
关键词：互补金属氧化物半导体集成电路 照明发光二极管 脉宽调制型 恒流驱动 电源效率 
基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究被引量：1
《电子器件》2006年第3期647-650,共4页浦志卫 郭维 
浙江教育厅资助(20051006)
延伸漏极N型MOS(EDNMOS)是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medici[1]对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压C...
关键词：互补MOS工艺 延伸漏极N型MOS 二维器件模拟软件 击穿电压 
基于标准CMOS工艺的有源像素单元结构的研究被引量：2
《压电与声光》2005年第4期434-437,共4页周鑫 朱大中 郭维 
国家自然科学基金资助项目(90307009)
基于标准N阱互补金属氧化物半导体集成电路(CM O S)工艺,设计了P+/N-w e ll/P-sub光电管结构和传统的N+/P-sub光电管结构的有源像素单元。像素单元面积为100μm×100μm,感光面积百分比分别为77.6%和89%,采用了上华0.6μm两层金属两层...
关键词：互补金属氧化物半导体集成电路(CMOS) 有源像素传感器 光电传感器 
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