浦志卫

作品数：1被引量：1H指数：1
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基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究被引量：1
《电子器件》2006年第3期647-650,共4页浦志卫 郭维 
浙江教育厅资助(20051006)
延伸漏极N型MOS(EDNMOS)是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medici[1]对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压C...
关键词：互补MOS工艺 延伸漏极N型MOS 二维器件模拟软件 击穿电压 
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