李明亮

作品数：3被引量：7H指数：2
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供职机构：浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所更多>>
发文主题：触发电源线互补型双极型可控硅更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《固体电子学研究与进展》《浙江大学学报（工学版）》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金江苏高校优势学科建设工程资助项目国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
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基于0.5μm BCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计被引量：2
《浙江大学学报（工学版）》2013年第11期2046-2050,共5页梁海莲 董树荣 顾晓峰 李明亮 韩雁 
国家自然科学基金资助项目(11074280;61171038;61150110485);江苏高校优势学科建设工程资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B;JUDCF13032)
针对双向可控硅(DDSCR)在特征尺寸不断缩小的集成电路中,难以达到窄小静电放电(ESD)设计窗口的ESD防护需求,设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR(GFDDSCR)ESD保护器件,并基于0.5μm Bipolar-CMOSDMOS工艺进行制备.利用传输线脉冲测试研究不同...
关键词：静电放电 双向可控硅 触发电压 维持电压 失效电流 
GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2013年第2期194-198,共5页梁海莲 董树荣 顾晓峰 李明亮 韩雁 
国家自然科学基金资助项目(11074280;61171038;61150110485);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUDCF12027;JUDCF12032)
栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar...
关键词：栅接地N型金属氧化物半导体场效应晶体管 静电放电 双极型-互补型金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺 叉指 金属布线 失效电流 
纳米集成电路的静电放电防护被引量：4
《微电子学》2010年第1期87-93,97,共8页李明亮 董树荣 韩雁 杜晓阳 霍明旭 郭维 郭清 黄大海 宋波 
浙江省自然科学基金资助项目(Y107055;Y1080546)
综述了纳米集成电路片上(On-Chip)静电放电防护(ESD)的研究现状;结合自身流片数据,阐述其ESD防护机理和设计要点。从器件ESD防护机理入手,逐步深入分析阐述了纳米集成电路的新特征、纳米器件的失效机制以及基于体硅CMOS工艺和SOI工艺的...
关键词：纳米工艺 集成电路 静电防护 
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