杜晓阳

作品数：4被引量：6H指数：2
导出分析报告
供职机构：浙江大学更多>>
发文主题：可控硅多晶硅ESD静电放电静电更多>>
发文领域：电子电信理学动力工程及工程热物理化学工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《固体电子学研究与进展》《真空》《浙江大学学报（工学版）》更多>>
所获基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
纳米集成电路的静电放电防护被引量：4
《微电子学》2010年第1期87-93,97,共8页李明亮 董树荣 韩雁 杜晓阳 霍明旭 郭维 郭清 黄大海 宋波 
浙江省自然科学基金资助项目(Y107055;Y1080546)
综述了纳米集成电路片上(On-Chip)静电放电防护(ESD)的研究现状;结合自身流片数据,阐述其ESD防护机理和设计要点。从器件ESD防护机理入手,逐步深入分析阐述了纳米集成电路的新特征、纳米器件的失效机制以及基于体硅CMOS工艺和SOI工艺的...
关键词：纳米工艺 集成电路 静电防护 
不同栅压下NMOS器件的静电防护性能被引量：2
《浙江大学学报（工学版）》2010年第1期141-144,共4页朱科翰 董树荣 韩雁 杜晓阳 
浙江省自然科学基金资助项目(Y107055;Y1080546)
针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计不同尺寸的NMOS静电防护器件,采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流-电压曲线.借...
关键词：静电防护 二次击穿电流 传输线脉冲 
深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究
《固体电子学研究与进展》2009年第1期106-111,共6页朱科翰 杜晓阳 于宗光 韩雁 崔强 霍明旭 董树荣 
浙江省自然科学基金资助(Y107055)
研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其...
关键词：场氧器件 静电防护 深亚微米 传输线脉冲 
铁电阴极电子发射研究进展
《真空》2006年第4期43-48,共6页杜晓阳 董树荣 王德苗 
国家自然科学基金资助项目(No.50172042)
铁电发射是一种新型强流受激电子发射,本文综述了铁电弱发射和强发射的研究现状及其发射机理,重点分析了不同的铁电体相结构、电压脉冲激励波形、铁电发射结构以及萃取电压的波形等对铁电阴极电子发射特性和工作机理的影响,总结了目前...
关键词：铁电体 铁电阴极 电子发射 表面等离子体 强激励 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部