深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究  

FOD Based ESD Protection Devices in Deep Sub-micron Technology

作　　者：朱科翰[1,2,3] 杜晓阳[2] 于宗光[1,3] 韩雁[2] 崔强[2] 霍明旭[2] 董树荣[2] 

机构地区：[1]江南大学信息学院,江苏无锡214000 [2]浙江大学信电系微电子所ESD实验室,杭州310027 [3]中国电子科技集团第58研究所,江苏无锡214035

出　　处：《固体电子学研究与进展》2009年第1期106-111,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：浙江省自然科学基金资助(Y107055)

摘　　要：研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。Field oxide devices （FOD） based ESD （Electrostatic discharge） protection devices are investigated in this paper. According to different protected parts of IC chip such as input, output and power rails, three main FOD devices are fabricated in 0. 18 μm EEPROM silicide CMOS technology. By using TLP tester, the effects of the feature size on FOD＇s ESD characteristics and its design rule are analyzed. Results show that channel length and the distance between drain and contact （DCG） play a vital role. With increasing the channel length, trigger voltage is enhanced, but ESD robustness is weakened. Increasing DCG can enhance FOD ESD protection ability. A floating square poly island FOD is presented in this paper, which shows a simple structure and good ESD protection ability.

关 键 词：场氧器件 静电防护 深亚微米 传输线脉冲 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]