KSi能带结构及态密度的第一性原理研究  

FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS ON ELECTRONIC STRUCTURE OF KSI

作　　者：郝正同[1,2] 杨子义[2] 

机构地区：[1]绵阳师范学院物理与电子工程学院,四川绵阳621000 [2]贵州大学理学院,贵州贵阳550025

出　　处：《井冈山大学学报（自然科学版）》2010年第5期38-40,58,共4页Journal of Jinggangshan University (Natural Science)

基　　金：贵州省科学技术基金项目(黔科合J字[2010]2002号);贵阳市科技计划项目(2009筑科大合同字第6号)

摘　　要：采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对KSi的电子结构进行了理论计算,计算表明KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42eV。详细讨论了KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度的结构。The electronic structures and densities of states of the KSi have been calculated using the first-principle density function theory and pseudopotential method. The results show that KSi is a quasi-direct band gap semiconductor with the band gap of 1.42eV, and the density of states of the energy bands are discussed in detail.

关 键 词：KSi 第一性原理 电子能带结构 态密度 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理]