弱磁场对一维无限深势阱中电子性质的影响  

作　　者：赵丽丽[1] 

机构地区：[1]赤峰学院计算机科学与技术系,内蒙古赤峰024000

出　　处：《赤峰学院学报（自然科学版）》2010年第9期8-9,共2页Journal of Chifeng University(Natural Science Edition)

摘　　要：本文采用含时微扰理论研究含时非均匀弱磁场对一微无限深势阱中电子性质的影响.理论推导表明,在含时非均匀弱磁场的作用下,电子的跃迁概率与作用时间成正比,且只有初态、末态之间满足一定的选择定则时,跃迁才能产生.

关 键 词：含时微扰论 一维无限深势阱 跃迁概率 跃迁速率 

分 类 号：O413.1[理学—理论物理]