CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究  

作　　者：于东麒[1] 陈希[1] 张贺秋[2] 胡礼中[1] 乔双双[1] 孙开通[1] 

机构地区：[1]辽宁师范大学物理与电子技术学院,大连116029 [2]大连理工大学物理与光电工程学院,大连116024

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第10期1230-1234,共5页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50532080);辽宁省教育厅重点实验室资助项目(编号:20060131);高等学校博士专项科研基金(编号:20070141038)资助项目

摘　　要：采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.

关 键 词：CdSxSe1-x 量子点 变温PL谱 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]