Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究  

作　　者：窦红飞[1] 陈效双[1] 陆卫[1] 李志锋[1] 沈学础[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第7期573-577,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金;上海市启明星计划

摘　　要：研究了单层Ｓｉ分别δ－掺杂于Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱，并与未掺杂样品相比较，发现掺杂样品的发光峰红移，其中单边势垒掺杂样品红移约４ｍｅＶ，双边势垒掺杂样品红移的量更多约１２ｍｅＶ．本文用杂质散射与空穴空间局域化来解释掺杂样品的发光半峰宽较本征样品大很多．用有效质量方法计算３个样品的光致发光能量，并用电子相关交换势解释掺杂样品发光红移的现象．

关 键 词：硅 掺杂 单量子阱 光致发光 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学] TN383.2