检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:陈维友[1] 杨丽颍[1] 张冶金[1] 曹晓光 汪爱军[1] 刘式墉[1]
机构地区:[1]吉林大学电子工程系
出 处:《固体电子学研究与进展》1999年第2期231-238,共8页Research & Progress of SSE
基 金:国家自然科学基金
摘 要:给出了MOCVD反应室流体力学的模拟方法,介绍一个MOCVD反应室设计软件。该软件通过模拟反应室内的气流分布、压力分布和温度分布情况,可用来检验现有反应室结构的合理性及设计新型反应室结构。作为分析实例,对入口区扩散气流对整个反应室气流分布的影响作了简单讨论。BasedonthetransporttheoryofMOCVDreactor,asimulatingsoftwareispresentedinthispaperforthedesignofMOCVDreactors.Thissoftwareissuitableforthetestofcurrentreactorsandthedevelopmentofnewreactors.Asaexample,theeffectoftheflowatentranceontheflowdistributioninreactorisdiscussed.
关 键 词:计算机辅助设计 半导体材料 MOCVD 外延生长
分 类 号:TN304.054[电子电信—物理电子学] TN302
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