纳米硅薄膜超微压力传感器设计与性能研究  

Design and performance study on nano-silicon thin-film ultraminiatured pressure sensor

作　　者：沈思国[1] 丁建宁[1,2] 潘海彬[1] 凌智勇[1] 程广贵[1] 范真[1] 

机构地区：[1]江苏大学微纳米研究中心,江苏镇江212013 [2]江苏工业学院低维材料微纳器件与系统中心,江苏常州213164

出　　处：《传感器与微系统》2010年第10期62-64,共3页Transducer and Microsystem Technologies

基　　金：江苏省科技支撑计划资助项目(BE2009123)

摘　　要：利用纳米硅薄膜良好的力学与电学特性,设计出超微压压力传感器芯片结构:双岛—梁—膜结构。利用ANSYS进行了静力分析、模态分析、谐反应分析、瞬态分析,结果表明:该结构具有灵敏度高、线性度好、动态响应快等优点。Utilizing good mechanical and electrical properties of nano-silicon thin-film, a chip structure double island-beam-membrane structure of the ultraminiatured pressure sensor was designed. Static analysis, modal analysis, harmonic response analysis and transient analysis were carried out by means of ANSYS, the results show that this structure has advantages of high sensitivity, good tinearity ,fast dynamic response and so on.

关 键 词：纳米硅薄膜 超微压压力传感器 结构 性能 

分 类 号：TP212.1[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]