沉积温度为室温和560℃的Nb/Si多层膜微结构研究  

Microstructure Studies of Nb/Si Multilayers Deposited at Room Temperature and 560 ℃

作　　者：张明[1] 赵建华[1] 曹立民[1] 许应凡[1] 王文魁[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《真空科学与技术》1999年第2期154-158,共5页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/Si多层膜为非晶多层膜 ,但它们的微结构有很大的不同。采用沉积原子表面活动性和界面反应程度解释了所得到的结果。The microstructures of Nb/Si multilayers prepared by ion beam sputtering technique have been studied by using XRD and CTEM.The XRD and CTEM observations demonstrate that significant differences in film morphology emerge for samples deposited at room temperature and 560 ℃ respectively .It is surface mobility of adatoms and interfacial reaction that play an important role in the growth of amorphous Nb/Si multilayers.

关 键 词：多层膜 沉积温度 界面结构 室温 微结构 铌/硅 

分 类 号：O484.8[理学—固体物理]