氢化硅薄膜光吸收近似特性研究  

Photo-absorption coefficient approximation of hydrogenated silicon films

作　　者：郭立强[1] 丁建宁[1,2,3] 杨继昌[1] 王书博[2] 叶枫[2] 程广贵[1] 凌智勇[1] 范慧娟[1] 袁宁一[2,3] 王秀琴[2] 

机构地区：[1]江苏大学机械工程学院,微纳米研究中心,镇江212013 [2]常州大学,低维材料微纳器件与系统研究中心,常州213164 [3]常州市新能源重点实验室,常州213164

出　　处：《物理学报》2010年第11期8184-8190,共7页Acta Physica Sinica

基　　金：青蓝工程(批准号:2008-04);常州市工业科技攻关专项(批准号:CE2008014);常州市科技平台专项(批准号:CM2008301);江苏省科技支撑计划(批准号:BE20080030)资助的课题~~

摘　　要：利用等离子体化学气相沉积系统在直流电压源和射频源的双重激励下,以康宁7059玻璃为衬底制备了氢化硅薄膜.通过测定氢化硅薄膜Raman光谱,对薄膜微结构进行了表征;建立氢化硅薄膜的光吸收模型,计算出薄膜的光吸收系数和光学带隙,和实验结果基本一致,说明该模型符合实验结果;并利用该模型计算的光吸收系数和光学带隙,结合AMPS软件对设计的太阳电池结构进行了模拟,给出的I-V特性曲线变化趋势与实验结果基本符合,同时对实验结果与模拟结果存在差异的原因进行了分析,并给出合理解释.Hydrogenated silicon films are prepared on Corning 7059 glass by the plasma enhanced chemical vapour deposition technique with radio frequency （RF）,power,（13.56 MHz） and DC bias.The microstructures of hydrogenated silicon films investigated by Raman spectra.The photo-absorption coefficient is calculated by utilizing an established photoabsorption model.The I-V characteristics of hydrogenated silicon film solar cells are simulated by using software AMPS.The results show that photo-absorption coefficient curves and I-V curves are both consistent well with experimental data.At the same time,the difference between experimental results are calculated results were analyzed.

关 键 词：氢化硅薄膜 光吸收系数 光吸收模型 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理]