CVD制备MB_2(M=Ti,Zr,Hf)研究进展  

作　　者：张涛[1] 何国球[1] 蔡仁涛[1] 赵小跟[1] 

机构地区：[1]同济大学材料科学与工程学院,上海200092

出　　处：《化学工程与装备》2010年第10期119-125,共7页Chemical Engineering & Equipment

基　　金：国家"九七三"重点基础研究发展规划资助项目(2007CB714705);国家自然科学基金资助项目(50771073);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-05-0388)

摘　　要：MB2(M=Ti,Zr,Hf)是ⅣB族过渡金属的硼化物,化学气相淀积(CVD)是制备MB2类薄膜材料和保护涂层的最有效技术之一。对MB2类材料CVD制备的热力学进行了简要分析。阐述了反应前驱体的选择和应用。对近年来MB2类材料的CVD合成制备的最新研究报道进行了整理和总结,对MB2类材料的CVD制备发展进程进行了概括。从CVD过程的设备工艺到产物的表征,从显微结构的定性研究到晶格常数匹配的定量分析,均进行了简要的阐述。最后,对CVD工艺制备MB2类材料的发展和应用前景进行了展望。

关 键 词：化学气相淀积(CVD) 硼化钛(TiB2) 硼化锆(ZrB2) 硼化铪(HfB2) 

分 类 号：O611.3[理学—无机化学]