硅基MIS隧道二极管的研究  

RESEARCH OF SILICON BASED MIS TUNNEL DIODE

作　　者：俞建华[1] 孙承休[1] 刘柯林[1] 高中林[1] 王启明[2] 

机构地区：[1]东南大学电子工程系 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室

出　　处：《发光学报》1999年第1期40-42,共3页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金;集成光电子国家重点实验室基金

摘　　要：硅基ＭＩＳ隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基发光器件提供了可能性．报道了ＭＩＳ隧道发光二极管（ＭＩＳＬＥＴＤ）的制作过程、电流－电压和发射光谱特性。Silicon based MIS light emiting tunnel diode shows the possibility for making silicon based light emitting devices that can be used in Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits. In this paper, we report the fabrication technique , current voltage ( I V ) characteristic and light emission spectra of MIS tunnel diode.

关 键 词：MIS 隧道二级管 硅基 发光机理 

分 类 号：TN312.2[电子电信—物理电子学]