退火处理对氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜的结构和光学性能的影响  

Influence of Thermal Annealing on Micro-Structure and Optical Property of nc/αc-Si:H Films

作　　者：陈红敏[1] 丁建宁[1,2,3] 王秀琴[1] 郭立强[2] 袁宁一[1,3] 

机构地区：[1]常州大学低维材料微纳器件及系统研究中心,江苏常州213164 [2]江苏大学微纳米研究中心,江苏镇江212013 [3]常州市新能源重点实验室,江苏常州213164

出　　处：《常州大学学报（自然科学版）》2010年第3期1-6,共6页Journal of Changzhou University：Natural Science Edition

基　　金：青兰工程资助项目(2008-04);江苏省科技支撑项目(BE20080030);常州科技支撑项目(E2008014);常州科技平台(CM2008301);江苏省高校基金项目(07KJB430023)

摘　　要：利用等离子化学气相沉积(PECVD)方法低温制备不同晶态比的氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜,在高纯氮气下对其进行不同温度(300-500℃)的退火处理,并利用X射线衍射(XRD)?拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)和紫外-可见光透射谱(UV-VIS)对其结构和光学性能进行研究。结果显示400-500℃退火在一定程度上提高了低晶态比的氢化纳米硅/非晶硅两相薄膜的结晶度,而高晶态比的氢化纳米硅/非晶硅两相薄膜在500℃下退火20 min,其结构和光学特性显示出比较好的热稳定性。Hydrogenared nanocrystalline/amorphous silicon（nc/αc-Si：H） films were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition（PECVD）,then were thermal treated using rapid annealing equipment in nitrogen ambient at different temperatures（300-500℃）.The structures and optical property were examined by X-ray diffraction（XRD）,Raman spectrometer（Raman）,atomic force microscopy（AFM） and UV-visible transmission spectra（UV-VIS）,etc.The measurement results indicated that the annealing at 500℃ could improve the crystallization of nc/ac-Si：H films with a low crystallization rate.However the nc/ac-Si：H films with a high crystallization rate show a thermal stability under the annealing at 500℃ for 20min.

关 键 词：氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜 退火处理 稳定性 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]