石墨浆做背接触层的CdTe薄膜太阳电池的导纳谱表征  

作　　者：何绪林[1] 张静全[1] 冯良桓[1] 武莉莉[1] 李卫[1] 曾广根[1] 雷智[1] 黎兵[1] 郑家贵[1] 

机构地区：[1]四川大学材料科学与工程学院,成都610064

出　　处：《中国科学：技术科学》2010年第12期1509-1513,共5页Scientia Sinica(Technologica)

基　　金：国家高技术研究发展计划("863"计划)(批准号:2003AA513010)资助项目

摘　　要：本文测试了掺杂石墨浆作背接触层的CdTe薄膜太阳电池的导纳谱,计算得到电池中存在的影响电池性能的缺陷能级及其俘获截面.掺杂石墨浆作背接触层的CdTe薄膜太阳电池中存在三个缺陷能级,其位置Et-Ev分别约为0.34,0.46和0.51eV,对应的俘获截面分别为2.23×10-16,2.41×10-14,4.38×10-13cm2.

关 键 词：CDTE 太阳电池 导纳谱 深能级缺陷 

分 类 号：TM914.42[电气工程—电力电子与电力传动]