ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱  

作　　者：魏彦锋[1] 黄大鸣[1] 王兴军[1] 俞根才[1] 诸长生 王迅[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第6期492-496,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自由激子更容易由于相互作用而形成双激子，在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光．

关 键 词：半导体量子阱 双激子发光谱 分子束外延生长 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学] TN301