δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移  

作　　者：程文超[1] 夏建白[1] 郑文硕 黄醒良 金载元 林三镐 瑞恩庆 李亨宰 

机构地区：[1]半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所 [2]半导体物理研究中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第6期497-500,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文报告了在δ掺杂硅ｎ－ｉ－ｐ－ｉ结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在ＧａＡｓ和ＧｅＳｉ超晶格中观察到的结果．这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释．基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性．

关 键 词：硅 掺杂 结构 多量子阱 吸收边 漂移 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN305.3