软X射线辐照引起的InP表面电子态变化  

CHANGES OF SURFACE ELECTRON STATES OF InP UNDER SOFT X RAYS IRRADIATION 

作　　者：杨志安[1,2,3] 靳涛[1,2,3] 杨祖慎[1,2,3] 奎热西 崔明启 刘风琴[1,2,3] 

机构地区：[1]新疆大学物理系 [2]中国科学院新疆物理研究所 [3]中国科学院高能物理研究所

出　　处：《物理学报》1999年第6期1113-1117,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：采用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究了软Ｘ射线辐照ＩｎＰ所产生的表面电子态的变化．实验结果表明，软Ｘ射线的照射，对Ｉｎ原子影响不大，而对Ｐ原子影响很大．分析了ＩｎＰ的辐照效应机理。Abstract Changes of surface electronic states of InP under 1keV X ray irradiation is studied by X ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ultraviolet ray energy spectroscopy (UPS). Our results show that the soft X ray irradiation has little effect on In atoms but much on P atoms. We analysed the mechanism of irradiation and explained the major effect.

关 键 词：磷化铟 表面电子态 XPS UPS 软X射线辐照 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN306