基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱中载流子的量子态  

The Study on the Carriers Quantum States in InAs/GaSb based Type Ⅱ and Broken-gap Quantum Wells

作　　者：魏相飞[1] 杨富强[2] 金诚[2] 宋丽影[1] 袁好[1] 

机构地区：[1]皖西学院材料与化工学院,安徽六安237012 [2]山东省邹城市实验中学,山东邹城273500

出　　处：《皖西学院学报》2010年第5期60-62,共3页Journal of West Anhui University

基　　金：2009年度安徽高等学校省级自然科学研究项目(KJ2009B018Z);2010年度高等学校省级优秀青年人才基金项目(2010SQRL186)

摘　　要：基于InAs/GaSb的二类、断带半导体异质结构由于其特殊的能带结构和独特的光电性质而备受关注。主要研究了基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱(AlSb/InAs/GaSb/AlSb)中电子和空穴的波函数和能级。通过直接求解有效质量近似下的Schrǒdinger方程得到电子(空穴)沿生长方向的能级和波函数,研究发现:电子和空穴的波函数在材料层的交界面上有一定程度的耦合,所以该系统可以在新型光电器件方面有重要的应用。Great attentions have been paid to the InAs/GaSb based type Ⅱ and broken-gap quantum well （QW） system for its unique subband structures and novel photoelectric properties. In this article, we focus on the calculations of subband energies and wavefunctions for electron and hole in this system. Our results show that the electron and hole＇s wavefunetions are coupling in the interface. So the InAs/GaSb based type Ⅱ and broken-gap QW system can be used as new kind of photoelectric devices.

关 键 词：二类 断带半导体量子阱 空穴 光电器件 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]