金诚

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供职机构:邹城市实验中学更多>>
发文主题:INAS/GASB光电器件空穴量子态载流子更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《皖西学院学报》更多>>
所获基金:安徽高等学校省级自然科学研究项目安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
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基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱中载流子的量子态
《皖西学院学报》2010年第5期60-62,共3页魏相飞 杨富强 金诚 宋丽影 袁好 
2009年度安徽高等学校省级自然科学研究项目(KJ2009B018Z);2010年度高等学校省级优秀青年人才基金项目(2010SQRL186)
基于InAs/GaSb的二类、断带半导体异质结构由于其特殊的能带结构和独特的光电性质而备受关注。主要研究了基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱(AlSb/InAs/GaSb/AlSb)中电子和空穴的波函数和能级。通过直接求解有效质量近似下的Schrǒ...
关键词:二类 断带半导体量子阱 空穴 光电器件 
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