磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究  

Structural,Optical and Electrical Properties of ZnO∶Ag Films Fabricated by Magnetron Sputtering

作　　者：段理[1,2] 樊小勇[1,2] 于晓晨[1,2] 倪磊[1,2] 

机构地区：[1]长安大学材料科学与工程学院,西安710064 [2]长安大学高性能路面国际合作研究中心,西安710064

出　　处：《材料导报》2010年第24期13-16,共4页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(20903016)

摘　　要：利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜,通过改变制备条件生长了一系列样品,样品退火后呈现p型导电特性。测量了样品的结构特性、光学性质和电学性质,实验表明薄膜厚度与淀积时间、溅射功率分别呈近似线性关系;薄膜晶体质量随溅射功率、背景气压的增加而降低;退火过程是银元素形成受主的重要环节,且退火能有效提高薄膜晶体质量,改善薄膜的光学性质和电学性质。分析了这些影响的机理和来源。ZnO ： Ag films are fabricated on glass substrates by magnetron sputtering. The samples are converted to p-type after annealing. The structural, optical and electrical properties of samples are measured. The results show that the properties of films are influenced by the sputtering power, working gas pressure, partial pressure of O2 and annealing process. The formation of Ag acceptor is influenrcd by annealing conditions. Furthermore, annealing effectively improved the film quality of ZnO ： Ag. The relative mechanisms are discussed.

关 键 词：溅射 银掺杂 P型ZNO薄膜 光电性能 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理]