云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- P型ZNO薄膜

P型ZNO薄膜: 作品数：50被引量：140H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：叶志镇赵炳辉朱丽萍吕建国黄靖云更多>>; 相关机构：浙江大学重庆师范大学中国科学院大连理工大学更多>>; 相关期刊：《激光与红外》《光谱学与光谱分析》《发光学报》《压电与声光》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划重庆市自然科学基金广东省自然科学基金更多>>

p型ZnO薄膜的研究进展: 《材料导报》2015年第23期12-17,共6页文俊伟王小平王丽军李剑刘凌鸿于颖; 上海市教委重点创新项目(14ZZ137);沪江基金(B14004);上海理工大学国家级项目培育基金项目(14XPM04); ZnO材料以其优良的光电特性和相对低廉的成本而倍受人们的青睐,但是要获得高质量的p型ZnO薄膜难度极大,这已成为阻碍ZnO基光电器件走向实用化的主要障碍。综述了p型ZnO薄膜掺杂面临的困难、p型ZnO掺杂理论进展及实现p型ZnO薄膜的各种掺...; 关键词：ZNO薄膜制备工艺掺杂 p型电导

扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究被引量：1: 《光谱学与光谱分析》2015年第7期1787-1790,共4页陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金华王菲王晓华刘国军马晓辉魏志鹏; 国家自然科学基金项目(61076039,61204065,61205193,61307045,61404009,61474010);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20112216120005);吉林省科技发展计划项目(20121816,201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金项目(9140C310104110C3101,9140C310102130C31107,9140C3101024C310004,9140C310101120C031115)资助; 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响...; 关键词：扩散掺杂 P型ZNO P掺杂原子层沉积光致发光

退火处理对P型ZnO薄膜光电性能影响的研究被引量：3: 《中国非金属矿工业导刊》2014年第6期15-17,共3页吴炳南高立华高松华; 2012年度省级大学生创新创业训练计划项目(编号:ZL1217/CS(sj));福建省自然科学基金资助项目(编号:2012J01016); ZnO薄膜为重要的第三代半导体材料,因其优异的光电性能在微电子行业及光电方面诸多领域备受关注,ZnO薄膜的P型掺杂是实现ZnO基光电器件的关键。本文利用射频磁控溅射法通过N-Al共掺技术,在普通玻璃衬底上成功生长出P型ZnO透明导电薄膜...; 关键词：ZNO薄膜 P型退火处理光电性能

硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响被引量：2: 《发光学报》2014年第7期795-799,共5页赵鹏程张振中姚斌李炳辉王双鹏姜明明赵东旭单崇新刘雷申德振; 国家"973"计划(2011CB302002;2011CB302005);国家自然科学基金(11134009;11074248;11104265)资助项目; 利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄...; 关键词：ZNO B/N共掺 P型掺杂

Properties of p-type ZnO thin films with different orientations: 《Optoelectronics Letters》2014年第2期111-114,共4页戴丽萍王姝娅钟志亲张国俊; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61204088);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(No.ZYGX2011J029); The stable properties of N-doped p-type ZnO thin films with preferential nonpolar(100) plane orientation relative to polar(002) plane orientation are investigated. The two kinds of oriented thin films are fabricated b...; 关键词：P型ZNO薄膜取向薄膜性质稳定性能非极性后热处理结构计算电场模型

N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究被引量：5: 《重庆师范大学学报（自然科学版）》2013年第3期115-120,共6页赵永红孔春阳秦国平李万俊阮海波孟祥丹卞萍徐庆张萍; 国家自然科学基金(No.11074314,50942021);重庆市自然科学基金(No.CSTC.2011BA4031,KJ120608);重庆师范大学青年基金(No.09XLS04); 采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜,以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型转变。研究发现:在590℃退火20min获得性能良好的p-ZnO∶In-N薄膜,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别为(1.01...; 关键词：ZnO∶In-N薄膜离子注入 P型掺杂稳定性第一性原理

超声喷雾热解法制备稀磁掺杂ZnO薄膜的研究被引量：3: 《人工晶体学报》2013年第4期659-663,共5页王礼慧张灿云徐家跃曲红旭刘晟杰; 上海应用技术学院大学生科技创新项目资助(DJ2010-51); 近年来,基于ZnO稀磁半导体在自旋电子器件方面的潜在应用价值,过渡金属掺杂的ZnO材料被广泛研究。但由于p型ZnO材料的制备非常困难,获得具有室温以上居里温度的Mn掺杂p型ZnO基稀磁半导体仍然是个难题。在N-In共掺杂成功实现ZnO薄膜p型...; 关键词：超声喷雾热解法稀磁掺杂 P型ZNO薄膜

退火对ZnMnO:N薄膜p型转变的影响: 《科技视界》2012年第25期149-149,195,共2页南貌; 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备出具有高结晶质量的ZnO:Mn薄膜,经N离子注入和退火处理,成功实现了ZnMnO:N薄膜的p型转变。; 关键词：射频磁控溅射 Mn-N共掺杂离子注入 P型ZNO薄膜退火

p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质被引量：4: 《人工晶体学报》2012年第3期636-641,共6页朱慧群李毅丁瑞钦王忆黄洁芳张锐华; 国家高技术研究发展计划(863)(2006AA03Z348);上海市教育委员会科研创新重点项目(10ZZ94);上海领军人才培养计划;广东省自然科学基金(10152902001000025);江门市自然科学和基础科学领域科技攻关计划项目(江科[2009]38号);五邑大学重点科研项目资助; 采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试。结果表明,获得的ZnO∶P...; 关键词：磁控溅射 P型ZNO薄膜磷掺杂异质结

N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展被引量：3: 《材料导报》2011年第23期49-54,共6页李万俊孔春阳秦国平阮海波杨天勇梁薇薇孟祥丹赵永红; 重庆市自然科学基金(AC40304); 获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位(NO)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表...; 关键词：P型ZNO薄膜 N—X共掺稳定性

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