卞萍

作品数：4被引量：11H指数：2
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供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
发文主题：共掺第一性原理ZNOP型掺杂P型ZNO薄膜更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《重庆师范大学学报（自然科学版）》《功能材料》《物理学报》更多>>
所获基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
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C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响被引量：2
《功能材料》2014年第7期7057-7060,7065,共5页卞萍 孔春阳 李万俊 秦国平 张萍 徐庆 
国家自然科学基金资助项目(61274128);重庆市自然科学基金资助项目(2011BA4031;2013jjB0023);重庆市教委科学技术研究资助项目(KJ120608)
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同C掺杂浓度的ZnO∶C薄膜,借助于X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了ZnO薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了C在ZnO薄...
关键词：C掺杂ZnO 电学特性 XPS RAMAN 
Ag-N共掺p型ZnO的第一性原理研究被引量：4
《物理学报》2013年第16期391-398,共8页李万俊 方亮 秦国平 阮海波 孔春阳 郑继 卞萍 徐庆 吴芳 
国家自然科学基金(批准号:11075314;50942021;11247316;11247317);重庆市自然科学基金(批准号:2011BA4031;2013jjB0023)资助的课题~~
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag-N共掺杂ZnO体系以及间隙N和间隙H掺杂p型ZnO:(Ag,N)体系的缺陷形成能和离化能进行了研究.结果表明,在AgZn和NO所形成的众多受主复合体中,AgZn-NO受主对不仅具有较低的缺陷形成能同时其离化...
关键词：P型ZNO 缺陷形成能 受主离化能 第一性原理 
Cd掺杂对ZnO∶In薄膜光电性质的影响
《重庆师范大学学报（自然科学版）》2013年第3期107-110,共4页孟祥丹 孔春阳 李万俊 秦国平 阮海波 赵永红 卞萍 
重庆市自然科学基金(No.CSTC2011BA4031)
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了不同Cd掺杂浓度的ZnO∶(In,Cd)薄膜,并研究了Cd掺杂浓度对薄膜光学和电学性质的影响。透射光谱测试发现,掺Cd对薄膜的透射率影响不大,都在80%以上,且随着Cd掺杂浓度的增加,薄膜的禁带宽度在3.253...
关键词：ZnO∶(In Cd)薄膜 光学性质 电学性质 
N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究被引量：5
《重庆师范大学学报（自然科学版）》2013年第3期115-120,共6页赵永红 孔春阳 秦国平 李万俊 阮海波 孟祥丹 卞萍 徐庆 张萍 
国家自然科学基金(No.11074314,50942021);重庆市自然科学基金(No.CSTC.2011BA4031,KJ120608);重庆师范大学青年基金(No.09XLS04)
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜,以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型转变。研究发现:在590℃退火20min获得性能良好的p-ZnO∶In-N薄膜,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别为(1.01...
关键词：ZnO∶In-N薄膜 离子注入 P型掺杂 稳定性 第一性原理 
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