长波红外n-HgCdTe材料的电阻比值与载流子寿命关系  

Relationship between Material Resistance Ratio and Carrier Lifetime in LWIR n-HgCdTe Crystals

作　　者：邵式平[1] 肖绍泽[1] 王跃[1] 

机构地区：[1]昆明物理研究所,昆明650223

出　　处：《红外技术》1999年第3期19-20,41,共3页Infrared Technology

摘　　要：少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实验数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有一定关系，电阻比值在2～6之间有较大的载流子寿命值，而电阻比值大于10的寿命值较小。Based on a lot of experiment data, we found that the ratio(γ) of material resistance at liquid-nitrogen temperature (77K) to room temperature (293 K) are related. The materials with 2＜γ＜6show the longest lifetime.

关 键 词：载流子寿命 材料电阻 碲镉汞材料 红外探测器 

分 类 号：TN215.04[电子电信—物理电子学]