一种IC缺陷轮廓建模的新方法  

A New Approach to Model the IC Defect Outlines

作　　者：姜晓鸿[1] 赵天绪[1] 郝跃[1] 徐国华 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所

出　　处：《电子学报》1999年第5期46-48,共3页Acta Electronica Sinica

基　　金："863"高科技项目;军事预研项目资助

摘　　要：现用于集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析的缺陷模型均是用圆或正方形来代替真实缺陷的复杂轮廓进行近似建模的，从而在模型中引入了很大的误差．本文利用分段线性插值的思想直接对真实缺陷的方向尺寸进行逼近，从而提出了一种新的缺陷轮廓表征模型．实验结果表明：与传统的最大圆模型、最小圆模型及椭圆模型相比，新模型的建模精度有了较大的提高．In all available defect outline models used for yield prediction and inductive fault analysis of integrated circuits (IC),real rugged outlines are usually replaced with circular discs or squares.Based on the idea of piecewise linear interpolation,this paper presents a new model to characterize those real defect outlines.The comparison of the new model with those models available indicates that the new model is a more accurate defect outline model.

关 键 词：IC 缺陷模型 分段线性插值 故障概率 成品率 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]