彩电开关电源主要器件及其特性(二)  

作　　者：朴慧京 

出　　处：《家电检修技术（资料版）》2011年第1期56-57,共2页

摘　　要：2．低电荷的功率MOSFET系列器件 1997年美国国际整流器GR）公司推出了最新的低电荷HEXFET，即新型MOSFET功率管IRFP450LC、IRFP460LC、IRF740LC、IRFBBC40LC等。由于采用了用较窄的多晶硅线、较厚的栅极氧化层、较低的沟道注入等新工艺，使功率MOSFET工作效率明显提高。

关 键 词：开关电源 功率MOSFET 器件 特性 彩电 HEXFET 栅极氧化层 工作效率 

分 类 号：TN86[电子电信—信息与通信工程]