〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究  

Calculation of Terahertz Pulse Propagation and Detection in 〈331〉 ZnTe Single Crystal

作　　者：王仍[1] 林杏潮[1] 张丽萍[1] 张可锋[1] 焦翠玲[1] 陆液[1] 邵秀华[1] 陆荣[1] 葛进[2] 胡淑红[2] 戴宁[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083 [2]中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《光子学报》2010年第12期2209-2214,共6页Acta Photonica Sinica

基　　金：中国科学院三期创新项目(Y-4);上海市自然科学基金(10ZR1434500)资助

摘　　要：根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用电光取样原理,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能,通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.The THz pulses generation of 〈331〉-oriented ZnTe as emitter via its optical rectification were reported.Compared with 〈110〉、〈111〉-oriented ZnTe crystal,the 〈331〉-oriented ZnTe could even emit THz pulse.When the crystal oriented angle was 00 or 1800,the THz pulse amplitude from 〈331〉-oriented could be equal to 〈111〉-oriented,higher than 〈110〉-oriented.The THz pulses detection performance of 〈331〉-oriented ZnTe as detector was calculated via the electro-optical effect.The theoretical calculation from 〈331〉 ZnTe emitter demonstrated a direct way to optimize the working efficiency of a terahertz emitter.

关 键 词：太赫兹辐射 光整流效应 电光效应 ZnTe单晶 〈331〉晶向 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]