锗硅碳合金的制备及性能研究进展  

Development of Preparation and Property Analysis of SiGeC Alloys

作　　者：亓震[1] 卢焕明[1] 黄靖云[1] 赵炳辉[1] 叶志镇[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料重点实验室,杭州310027

出　　处：《半导体技术》1999年第5期1-5,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：三元合金ＳｉＧｅＣ中处于替代位置的碳能缓解ＳｉＧｅ 合金的应变， 并同时调节其能带结构。碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及碳对合金能带结构的影响， 尤其是弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用本文进行了总结， 并对其制备的方法机理做了分析。The carbon can make the strain of SiGe relaxed and adjust the band gap as well.In this paper,the strain compensation of SiGe alloys with the introduction of carbon and the influence of carbon on the band structure,especially on relaxed SiGeC alloys and SiGe alloys,are summarized,their mechanism and growing methods are also discussed.

关 键 词：能带结构 锗硅碳合金 三元合金 制备 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] TN304.0