亓震

作品数：7被引量：6H指数：2
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：锗硅合金超高真空化学气相沉积中碳碳半导体材料更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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退火对UHVCVD外延生长锗硅碳三元合金的影响
《真空科学与技术》2001年第4期291-293,共3页王亚东 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 亓震 
国家自然科学基金重大项目 (6 9890 2 30 ) ;国家自然科学基金资助项目 (6 96 86 0 0 2 )
采用傅立叶红外吸收光谱 (FTIR)和X射线衍射 (XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1 -x - yGexCy三元合金的热稳定性。在比较高的退火温度下 (95 0℃或以上 ) ,Si1 -x -yGexCy中的替代位的C逐渐形成SiC沉淀 ,减弱了应变的补偿作...
关键词：超高真空化学气相沉积 锗硅碳三元合金 热稳定性 退火 外延生长 
UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金的应变研究被引量：2
《真空科学与技术》2001年第3期214-216,共3页王亚东 黄靖云 叶志镇 章国强 亓震 赵炳辉 
国家自然科学重大基金项目! (6 9890 2 30 ) ;国家自然科学基金资助项目! (6 96 86 0 0 2 )
用超高真空化学气相沉积方法 ,在Si(10 0 )衬底上生长掺C高达 2 2 %的Si1-x-yGexCy 合金薄膜 ,外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜 ,X射线衍射 ,傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外延层进行了检测。结果表明 :替代位C的加入 ,明...
关键词：超高真空化学气相沉积 应变 锗硅碳三元合金 外延生长 
UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第3期239-244,共6页叶志镇 章国强 亓震 黄靖云 卢焕明 赵炳辉 汪雷 袁骏 
国家自然科学基金重大项目 !( 69890 2 3 0 );国家自然科学基金!( 696860 0 2 )
碳的加入为 Si- Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性 .处于替代位置的碳可以缓解 Si Ge合金的应变 ,同时调节其能带 .报道了用 UHV/CVD生长的掺碳达 2 .2 %的锗硅碳合金 ,获得了良好的外延层质量 ,应变缓解效应明显 .使用了 X...
关键词：锗硅碳合金 碳 外延生长 应变缓解效应 
锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究
《材料科学与工程》2000年第1期25-27,10,共4页章国强 黄靖云 亓震 卢焕明 赵炳辉 汪雷 叶志镇 
国家自然科学基金重大项目 !6 9890 2 3 0 ;国家自然科学基金!6 96 86 0 0 2
SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解...
关键词：锗硅碳合金 反变弛豫 外延生长 
掺碳锗硅合金的制备及其性能研究进展
《半导体光电》1999年第3期154-158,共5页亓震 叶志镇 黄靖云 卢焕明 赵炳辉 
近几年来 Ｓｉ Ｇｅ Ｃ 三元合金受到人们的广泛关注，日益成为研究的热点之一。碳的加入为 Ｓｉ－ Ｇｅ 系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳能缓解 Ｓｉ Ｇｅ 合金的应变，并调节其能带。总结了碳的加入对...
关键词：半导体材料 SiGeC合金 能带结构 应变弛豫 价带补偿 荧光光谱 
锗硅碳合金的制备及性能研究进展被引量：1
《半导体技术》1999年第5期1-5,共5页亓震 卢焕明 黄靖云 赵炳辉 叶志镇 
三元合金ＳｉＧｅＣ中处于替代位置的碳能缓解ＳｉＧｅ 合金的应变， 并同时调节其能带结构。碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及碳对合金能带结构的影响， 尤其是弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用本文进行了总结， 并对其制...
关键词：能带结构 锗硅碳合金 三元合金 制备 
掺碳锗硅合金最新研究进展被引量：2
《材料科学与工程》1998年第3期22-25,共4页亓震 叶志镇 
ＳｉＧｅＣ三元合金近几年来受到人们的广泛关注，碳的加入为Ｓｉ－Ｇｅ系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。本文对碳加入锗硅材料中后应变的缓解及碳对合金能带结构的影响进行了概述，并对其机理做了总结。
关键词：能带结构 价带补偿 硅锗碳合金 
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